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2006年度上智大学シラバス

2006/02/24更新

◆集積回路　－　(後)

和保　孝夫

○講義概要

前期のデバイス基礎の内容を理解していることを前提として、前半では、CMOSデジタル集積回路について講義する。トランジスタレベルから基本ゲートレベルの構造と動作原理について講義した後に、LSI設計論、低消費電力化技術、フラッシュメモリについて解説する。後半は、バイポーラトランジスタ（BJT）技術について、ｐｎ接合の基礎から詳細に議論し、ＭＯＳＦＥＴと比較しながら、BJTの特徴を解説する。最後に、BJTとCMOSを組み合わせたBiCMOS集積化技術について説明する。

○評価方法

リアクションペーパー(30%)、後期学期末試験(定期試験期間中)(35%)、中間試験(35%)

○参考書

「デバイス基礎」の項を参照

○他学部・他学科生の受講

否

○ホームページURL

http://wwwsscd.ee.sophia.ac.jp

○授業計画

1	序論　集積回路の発展とスケール則
2	ＣＭＯＳダイナミック論理回路基礎、ドミノ回路
3	集積回路設計技術 "スタンダードセル、FPGA、設計手順"
4	フラッシュ・メモリ FGFET、プログラム動作
5	低消費電力化技術
6	中間試験
7	PN接合の理論（１）　半導体基本物性のおさらい
8	PN接合の理論（２）　Fermi準位状態密度、Fermi準位
9	PN接合の理論（３）　電荷密度、電界、電位　　　　　　　　　　空乏層容量、降伏、
10	BJTの構造と動作原理構造、動作モード、コレクタ電流
11	BJTの電流電圧特性ベース電流、電流増幅率
12	BJTの小信号等価回路ｇｍ、拡散容量、ｆTと高速化
13	MOSFETとBJT　BiCMOS