| ○講義概要 |
前期のデバイス基礎の内容を理解していることを前提として、トランジスタレベルから基本ゲートレベルの構造と動作原理を理解することを目的として講義を行う。まず、ＣＭＯＳ論理回路，LSI設計論、低消費電力化技術、フラッシュメモリについて解説する。次に、バイポーラトランジスタ（BJT）技術について、ｐｎ接合の基礎から詳細に議論し、ＭＯＳＦＥＴと比較しながら、相補を活用した集積化技術について解説する。
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| ○評価方法 |
リアクションペーパー(30%)、後期学期末試験(定期試験期間中)(35%)、中間試験(35%)
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| ○授業計画 |
| 1 | 序論 集積回路の発展とスケール則 |
| 2 | ＣＭＯＳダイナミック論理回路 基礎、ドミノ回路 |
| 3 | 集積回路設計技術 "スタンダードセル、FPGA、設計手順" |
| 4 | フラッシュ・メモリ FGFET、プログラム動作 |
| 5 | 低消費電力化技術 |
| 6 | 中間試験 |
| 7 | PN接合の理論（１） 半導体基本物性のおさらい |
| 8 | PN接合の理論（２） Fermi準位 状態密度、Fermi準位 |
| 9 | PN接合の理論（３） 電荷密度、電界、電位
空乏層容量、降伏、 |
| 10 | BJTの構造と動作原理 構造、動作モード、コレクタ電流 |
| 11 | BJTの電流電圧特性 ベース電流、電流増幅率 |
| 12 | BJTの小信号等価回路 ｇｍ、拡散容量、ｆTと高速化 |
| 13 | MOSFETとBJT BiCMOS |
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By：上智大学学事部学務課
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