2006/02/24更新
| ○講義概要 |
現在の情報機器に必要不可欠な電子デバイスの基礎を解説する。半導体デバイスを主な対象として、その構造と動作原理を解説する。特に、信号処理機能がどのような物理現象の起因しているのかを理解することを主目的とする。まず，半導体のバンド構造と電気特性、次に、電界効果トランジスタ(MOSFET)の素子構造とdc特性について説明する。引き続き、現在の集積回路として最も広く利用されているCMOSデジタル回路の基本を解説する。特に、基本的なロジック回路とメモリ回路について説明する。
電磁気学，電子回路I，物性基礎の修得を前提として講義を行う。
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| ○評価方法 |
出席状況(15%)、リアクションペーパー(15%)、前期学期末試験(定期試験期間中)(35%)、中間試験(35%)
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| ○参考書 |
田丸 野澤『集積回路工学』共立出版 １９９９
堀田『半導体の基礎理論』技術評論社 ２０００
古川『半導体デバイス』コロナ社 １９８２
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| ○授業計画 |
| 1 | 序論、半導体のバンド構造 共有結合 真性半導体と外因性半導体 |
| 2 | 半導体中のキャリアの挙動 ドリフトと拡散電流、再結合、接合 |
| 3 | PN接合の構造とIV特性 |
| 4 | MOSFET構造と動作原理 |
| 5 | MOSFETのIV特性 |
| 6 | MOSFET集積回路の製造工程 |
| 7 | 中間試験 |
| 8 | CMOSインバータ（１） 雑音余裕度、スケール則 |
| 9 | CMOSインバータ（２） 遅延時間、消費電力、高性能化 |
| 10 | スタティック論理回路 CCMOS、レイシオド、パスゲート |
| 11 | メモリの基礎 基本構造、ROM（NORとNAND） |
| 12 | SRAM セル構造、R/W動作 |
| 13 | DRAM セル構造、R/W動作 |
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