2005年度上智大学シラバス
| ○講義概要 |
最先端ナノテクノロジーに基づく半導体電子デバイスについて、文献紹介を中心にその背景の解説も含めて講義を行う。Ｓｉ微細ＭＯＳＦＥＴだけでなく、化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（HEMT)、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT)のような超高速デバイスなど各種の事例を紹介する。更に、新しい不揮発性メモリ素子、有機エレクトロニクス、液晶ディスプレイ技術など最先端の話題にも言及する。
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| ○評価方法 |
授業参画(40%)、リアクションペーパー(30%)、前期学期末試験(定期試験期間中)(30%)
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| ○参考書 |
中村徹 三島友義『超高速エレクトロニクス
電子情報通信レクチャーシリーズD-18』コロナ社 ２００３年
C. Y. Chang S. M. Sze『ULSI Devices』John Wiley and Sons 2000
W. Liu『Fundamentals of III-V Devices』John Wiley and Sons 1999
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| ○授業計画 |
| 1 | 序論：半導体の基本物性 |
| 2 | 電子デバイスの高性能化 |
| 3 | 極微細MOSFET |
| 4 | ヘテロ構造の物性と製造技術 |
| 5 | 高電子移動度トランジスタ 構造と特性 |
| 6 | 高電子移動度トランジスタ 応用 |
| 7 | 課題発表（１） |
| 8 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 構造と特性 |
| 9 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 応用 |
| 10 | 新しいメモリ素子 |
| 11 | 有機エレクトロニクス |
| 12 | 液晶ディスプレイ技術 |
| 13 | 課題発表（２） |
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By：上智大学学事部学務課
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