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理工学専攻電気・電子工学領域

理工学専攻電気・電子工学領域とは

21世紀革命の波はグローバル化による大競争時代をもたらしています。本領域は、持続可能な社会構築へ向けた地球への貢献を目標として、創造、伝達、応用の有機的連携を強化し、豊かな「総合知」を院生が身に付ける機会を提供する意欲に燃えています。電気電子工学分野は、素晴らしい技術革新の源泉となるばかりでなく、多様化して新領域の学問も派生させ多くの分野への基礎技術を提供しています。

■新エネルギーシステム
超伝導応用、磁気浮上システム、自然エネルギー発電

■集積回路
共鳴トンネル素子、多値論理回路、A/D変換器

■光電子デバイス  
ナノ構造デバイス、光制御デバイス、量子ドット
 
■光エレクトロニクス
緑色半導体レーザ、ナノコラム、新規半導体材料、超薄膜結晶

研究・教育・応用のバランス

研究開発で指導的役割を果たせるように、基礎学力とともに豊かな指導力・創造力を習得することを目指して、研究手法や問題意識を高揚させる研究指導や講義を行っています。海外の大学に滞在しての共同実験や、学内共同研究での他領域との研究など柔軟な院生参画が可能です。

世界に飛躍する研究活動

大学院生は教授陣の指導のもと先端的研究を推進して、成果を論文・国際会議で発表すべく、頑張っています。学内ハイテクリサーチセンターの利用、企業や研究機関との共同研究、国のプロジェクト研究など、柔軟な研究体制や設備の強化が進んでいます。

自分でデザインする大学院

新技術の開拓など常に変化する当領域では、他学部からの進学も可能です。また、非常に優秀な研究成果をあげた院生は早期修了も可能です。自分で海外留学の設定を可能とし、また経済負担の軽減も可能とする環境整備を進めています。

修了生の最近の主な研究テーマ

InP基板上BeZnSeTe系 II - VI 族半導体の光学評価と緑色レーザへの応用に向けた研究
RF-MBEチタンマスク選択成長法によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノウォールの成長と評価に関する研究
GaNナノコラム金属膜転写法によるInGaN/GaN量子ディスクナノコラムLEDの高性能化に関する研究
歪制御層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットに関する研究
アレイ型波長選択スイッチにおける導波路構造最適化に関する研究
組成変化バッファー層を用いた広帯域量子ドットアレイLEDに関する研究
屈折率分布アレイ導波路を用いた熱効果型波長選択スイッチの研究
次世代加速器用TaマトリクスNb3Al超伝導線の開発
撚りを施したBi系高温超伝導導体における交流損失特性の繰り返し引張り応力依存性
新機能構造材料による高温超伝導導体の機械損失低減
3D FEMを用いた超伝導コイル用構造材料の冷却性能評価 ー実験と解析の比較ー
エージェント間の反発力を加えた Pirticle Swarm Optimization 法による太陽光発電の部分影時の発電力増大
EDLC車載路面電車の無架線運転時における運転曲線と充電量の最適化
燃料電池・EDLCハイブリッド鉄道車両の勾配線区における出力分担制御の高効率化
複雑な風速変化に対応した風力発電用最大電力追従制御法の模擬装置による実験的検討
共鳴トンネルダイオードを用いた超高速論理回路及び比較器の研究
時間領域を用いたアナログ/デジタル変換器の研究
低電圧電流モード連続時間デルタシグマ変調器の研究
高電子移動度トランジスタを用いた超高速比較器とその応用に関する研究

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