情報化社会の基盤を支え、その持続的発展を可能にするために、電気・電子工学は大きな役割と責任を担っています。
本領域では、半導体・エネルギー・情報通信を中心として、内外の研究機関、企業などと連携しながら研究を進め、多くの先進的な成果を発信してきました。一方、学際的な学部教育との一貫性に配慮しながら、電気・電子工学に関する専門的な知識を付与するとともに、将来の新たな展開にも柔軟に対応できる知的基盤を養うためのカリキュラムと研究指導体制で、複合知を兼ね揃え、国際的に活躍できる研究者、先端技術研究者の育成に全力で取り組んでいます。
新エネルギーシステム
・超伝導応用
・磁気浮上システム
・自然エネルギー発電
光電子デバイス
・ナノ構造デバイス
・光制御デバイス
・量子ドット
集積回路
・共鳴トンネル素子
・多値論理回路
・A/D変換器
光エレクトロニクス
・緑色半導体レーザ
・ナノコラム
・超薄膜結晶
・新規半導体材料
研究開発で指導的役割を果たせるように、基礎学力とともに豊かな指導力・創造力を習得することを目指して、研究手法や問題意識を高揚させる研究指導や講義を行っています。海外の大学に滞在しての共同実験や、学内共同研究での他領域との研究など柔軟な院生参画が可能です。
大学院生は教授陣の指導のもと先端的研究を推進して、成果を論文・国際会議で発表すべく、頑張っています。学内ハイテクリサーチセンターの利用、企業や研究機関との共同研究、国のプロジェクト研究など、柔軟な研究体制や設備の強化が進んでいます。
新技術の開拓など常に変化する当領域では、他学部からの進学も可能です。また、非常に優秀な研究成果をあげた院生は早期修了も可能です。自分で海外留学の設定を可能とし、また経済負担の軽減も可能とする環境整備を進めています。
InP基板上BeZnSeTe系II-VI族半導体の光学評価と緑色レーザへの応用に向けた研究
RF-MBEチタンマスク選択成長法によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノウォールの成長と評価に関する研究
GaNナノコラム金属膜転写法によるInGaN/GaN量子ディスクナノコラムLEDの高性能化に関する研究
歪制御層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットに関する研究
アレイ型波長選択スイッチにおける導波路構造最適化に関する研究
組成変化バッファー層を用いた広帯域量子ドットアレイLEDに関する研究
屈折率分布アレイ導波路を用いた熱効果型波長選択スイッチの研究
次世代加速器用TaマトリクスNb3Al超伝導線の開発
HTSバルクを用いた吸引浮上システムの実験と解析による評価
大型超電導CIC導体の内部構造と安定性に関する研究
イットリウム系高温超伝導コイルの特性劣化のメカニズムとクエンチ保護に関する研究
加速器洋高磁場磁石のためのN63AI超伝導ケーブルの開発
エージェント間の反発力を加えた Pirticle Swarm Optimization法による太陽光発電の部分影時の発電力増大
EDLC車載路面電車の無架線運転時における運転曲線と充電量の最適化
燃料電池・EDLCハイブリッド鉄道車両の勾配線区における
複雑な風速変化に対応した風力発電用最大電力追従制御法の模擬装置による実験的検討
共鳴トンネルダイオードを用いた超高速論理回路及び比較器の研究
時間領域を用いたアナログ/デジタル変換器の研究
低電圧電流モード連続時間デルタシグマ変調器の研究
高電子移動度トランジスタを用いた超高速比較器とその応用に関する研究
